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GalaxyS24系列距离正式发布还有几个月的时间，幸运的是，第一个GalaxyS24Plus基准测试泄漏已经出现，透露该旗舰的美国版本将配备高通Snapdragon8Gen3。我们还得到要查看其他重要信息，所以让我们直接了解详细信息。

新的基准泄露显示三星尚未吸取增加RAM规格的教训，GalaxyS24Plus被发现只有8GB内存

该版本的GalaxyS24Plus型号为SM-S926U，显然是在Geekbench6上使用Android14进行了测试。MySmartPrice发现了结果，显示Snapdragon8Gen3将成为内部结构的一部分，并且已经获得单核和多核成绩分别为2233和6661。令人失望的是，这款特殊型号仅配备8GBRAM，这表明三星打算通过该版本削减成本，这也意味着GalaxyS24Plus将坚持使用铝制底盘而不是钛制底盘。

与Snapdragon8Gen2一样，Snapdragon8Gen3也采用单超级核心，测试的频率很可能是3.30GHz的Cortex-X4。整个CPU集群采用“1+3+2+2”配置，下图显示了其余核心的时钟速度。第二张图片显示，GalaxyS24Plus中运行的Snapdragon8Gen3也将配备高通的Adreno750GPU，但遗憾的是，没有提供规格细节。

鉴于SanDiego预计将于今年10月晚些时候推出其旗舰SoC，不难想象第一波Geekbench6结果会出现在网站上。然而，我们应该通知读者，Geekbench6数据库中不再存在基准泄漏，这意味着结果可能不合法，或者原始上传者可能已经临阵退缩。无论如何，基准测试泄露是一件有趣的事情，因为它不仅透露了有关旗舰产品的大量信息，还透露了即将推出的Snapdragon8Gen3的信息。

美国版GalaxyS24Plus出现在最新的基准测试泄露中

无论今天报道了什么，我们建议读者对这份报告持保留态度，我们将带来更多更新，当然还有与其他SoC的基准比较。

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